Mostra el registre d'ítem simple

dc.contributorStaliunas, Kestutis
dc.contributorMontiel, Joan
dc.contributor.authorGarre Werner, Guillermo
dc.date.accessioned2017-12-17T10:53:45Z
dc.date.issued2017-10-27
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2117/112202
dc.description.abstractEdge-emitting broad area semiconductor lasers (BAL) have a wide range of applications due to their high power, however, are strongly limited by their beam quality. Here, we consider a BAL with an external cavity configuration where we insert a photonic crystal (PhC) filter. We study the effect of the PhC filtering on the improvement of the beam quality both from theoretical and experimental point of view. We show that the beam quality can be modified thanks to the spatial filtering of the PhC filter enabling the use of BAL in new applications.
dc.description.abstractLos láseres de borde emisor y área amplia tiene un amplio rango de aplicaciones debido a su alta potencia, de todos modos, se ven fuertemente limitados por su calidad del haz. Aquí, consideramos un láser de área amplia en una configuración de cavidad externa donde insertamos un cristal fotónico. Estudiamos el efecto del filtrado del cristal fotónico en la mejora de la calidad del haz de manera teórica y experimental. Demostramos que la calidad del has se ve modificada gracias al filtrado espacial del cristal fotónico, habilitando el uso de los láseres de área amplia en nuevas aplicaciones
dc.description.abstractEls làsers de vora emissora i àrea àmpla tenen un ample rang d'aplicacions degut a la seva alta potència, de totes maneres, es troven fortament limitats per la seva qualitat del feix. Aquí, considerem un laser de àrea àmpla en una configuració de cavitat externa on inserim un cristall fotònic. Estudiem l'efecte del filtratge del cristall fotònic en la millora del la qualitat del feix de una manera teòrica i experimental. Demostrem que la qualitat del feix pot ser modificada gràcies al filtratge espacial del cristall fotònic habilitant l'us dels lasers d'àrea àmpla en noves aplicacions.
dc.language.isoeng
dc.publisherUniversitat Politècnica de Catalunya
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Telecomunicació òptica::Fotònica
dc.subject.lcshPhotonic crystals
dc.subject.lcshSemiconductor laser
dc.subject.otherBroad area lasers
dc.subject.otheredge-emitting lasers
dc.subject.othersemiconductor laser
dc.subject.otherspatial frequency filtering
dc.subject.otherm- squared
dc.subject.otherLáseres de área amplia
dc.subject.otherláseres de semiconductor
dc.subject.otherláseres de borde emisor
dc.subject.otherfiltrado de frecuencias espaciales m-cuadrado
dc.subject.othercristal fotónico
dc.titleBroad area lasers beam quality improvement using photonic crystals
dc.title.alternativeMejora de la calidad del haz de láseres de área amplia usando cristales fotónicos
dc.title.alternativeMillora de la qualitat del feix de làsers d'àrea àmpla mitjançant cristalls fotònics
dc.title.alternativeBeam combining of edge emitting semiconductor lasers for industrial applications
dc.typeMaster thesis
dc.subject.lemacCristalls fotònics
dc.subject.lemacLàsers de semiconductors
dc.identifier.slugETSETB-230.128749
dc.rights.accessRestricted access - confidentiality agreement
dc.date.lift2027-12-17T10:53:45Z
dc.date.updated2017-11-21T06:50:55Z
dc.audience.educationlevelEstudis de primer/segon cicle
dc.audience.mediatorEscola Tècnica Superior d'Enginyeria de Telecomunicació de Barcelona


Fitxers d'aquest items

Thumbnail
Imatge en miniatura

Aquest ítem apareix a les col·leccions següents

Mostra el registre d'ítem simple