Conversió de fitxers ATLAS a IC-CAP per a la obtenció del model compacte de transistors
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2099.1/9693
Tipus de documentProjecte/Treball Final de Carrera
Data2010
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
El transistor bipolar, com altres dispositius semiconductors, utilitza models matemàtics
per simular el seu comportament elèctric.
El model matemàtic, o model compacte del dispositiu semiconductor, equival a un
circuit electrònic amb un conjunt de paràmetres que emula el comportament del
dispositiu. Per tant, la obtenció d’aquest model, és clau en el disseny de circuits que
incorporin aquests dispositius.
El dispositiu bipolar amb el que s’ha treballat en aquest projecte, és el transistor bipolar
d’heterounió.
Hi ha diferents models compactes de transistor, i la tria del model que es vol utilitzar es
pot fer seguint tres criteris: Depenent de l’aplicació: models del transistor que s’empren en circuits
determinats, com per exemple circuits d’alta freqüència o circuits de
potència. Depenent del fabricant: models del transistor que dona el fabricant del circuit
que es vol dissenyar.
Depenent de la precisió: models del transistor mes complexos, solen ser mes
precisos. Els models poden estar orientats a la mateixa aplicació, però alguns
són més fidels a la realitat, ja que n’hi ha que ometen, per exemple, nolinealitats.
TitulacióENGINYERIA ELECTRÒNICA (Pla 1992)
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
memo_Dani_Ferres_bo.pdf | 654,1Kb | Visualitza/Obre |