Localization and electrical characterization of interconnect open defects
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/7803
Tipus de documentArticle
Data publicació2010-02
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
A technique for extracting the electrical and topological
parameters of open defects in process monitor lines is
presented. The procedure is based on frequency-domain measurements
performed at both end points of the line. The location
as well as the resistive value of the open defect are derived from
attenuation and phase shift measurements. The characteristic
defect-free impedance of the line and its propagation constant
are considered to be unknowns, and their values are also derived
from the above measurements. In this way, the impact of process
parameter variations on the proposed model is diminished. The
experimental setup required to perform the characterization
measurements and a simple graphical procedure to determine the
defect and line parameters are presented. Experimental results
show a good agreement between the predicted location of the open
and its real location, found by optical beam induced resistance
change inspection. Errors smaller than 2% of the total length of
the line have been observed in the experiments.
CitacióRodríguez, R. [et al.]. Localization and electrical characterization of interconnect open defects. "IEEE transactions on semiconductor manufacturing", Febrer 2010, vol. 23, núm. 1, p. 65-76.
ISSN0894-6507
Col·leccions
- Departament de Disseny i Programació de Sistemes Electrònics (fins octubre 2015) - Articles de revista [24]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Articles de revista [1.729]
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades - Articles de revista [47]
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat - Articles de revista [74]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
getPDF.pdf | Article principal | 1,485Mb | Visualitza/Obre |