IR-study of a-SiCx:H and a-SiCxNy:H films for c-Si surface passivation
Visualitza/Obre
1-s2.0-S0040609003015244-main.pdf (243,5Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/113069
Tipus de documentArticle
Data publicació2004-03
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Amorphous intrinsic silicon carbide (a-SiCx:H(i)) films and amorphous silicon carbonitride (SiCxNy:H) films have been deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition from CH4/SiH4/(N2) plasma on n-type (1.5 O cm) crystalline silicon (c-Si). These films have evidenced excellent surface passivation properties with a best result for the surface recombination velocity Seff˜2–3 cm s-1 for amorphous SiCxNy:H films, which is the lowest reported value for n-type c-Si with resistivity of 1.5 O cm so far. IR transmission spectroscopy was performed to get more detailed information about the structural composition of the films. Integrated absorption of the bands typical for Si¿C and Si¿N bonds reveals that N2 addition to the plasma leads to nitrogen incorporation into the films but also enhances the incorporation of carbon. From IR analysis it is found that the characteristic minimum of the Seff for a certain CH4/SiH4 gas flow ratio is not correlated with the bulk properties of the amorphous films. However, first analysis of injection level dependent lifetime measurements indicates that the minimum in Seff is related to good interface properties of the silicon carbon alloy deposited in the composition range of x˜0.2.
CitacióVetter, M., Martin, I., Orpella, A., Puigdollers, J., Voz, C., Alcubilla, R. IR-study of a-SiCx:H and a-SiCxNy:H films for c-Si surface passivation. "Thin solid films", Març 2004, vol. 451-452, p. 340-344.
ISSN0040-6090
Versió de l'editorhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609003015244
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
1-s2.0-S0040609003015244-main.pdf | 243,5Kb | Accés restringit |