DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Física >
NOLIN - Física No-Lineal i Sistemes Fora de l'Equilibri >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/16911

Arxiu Descripció MidaFormat
Bonilla_Cantalapiedra_Asymptotic.pdf253 kBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Bonilla, L.L; Cantalapiedra, I.R.; Gomila, G.; Rubí, J.M. "Asymptotic analysis of the Gunn effect with realistic boundary conditions". Physical Review E, 1997, vol. 56, núm. 2, p.1500-1510
Títol: Asymptotic analysis of the Gunn effect with realistic boundary conditions
Autor: Bonilla, L. L.; Rodríguez Cantalapiedra, Inma Veure Producció científica UPC; Gomila Lluch, Gabriel Veure Producció científica UPC; Rubí Capaceti, José Miguel
Editorial: The American Physical Society
Data: 31-ago-1997
Tipus de document: Article
Resum: A general asymptotic analysis of the Gunn effect in n-type GaAs under general boundary conditions for metal-semiconductor contacts is presented. Depending on the parameter values in the boundary condition of the injecting contact, different types of waves mediate the Gunn effect. The periodic current oscillation typical of the Gunn effect may be caused by moving charge-monopole accumulation or depletion layers, or by low- or high-field charge-dipole solitary waves. A new instability caused by multiple shedding of ~low-field! dipole waves is found. In all cases the shape of the current oscillation is described in detail: we show the direct relationship between its major features ~maxima, minima, plateaus, etc.! and several critical currents ~which depend on the values of the contact parameters!. Our results open the possibility of measuring contact parameters from the analysis of the shape of the current oscillation
ISSN: 1063-651X
URI: http://hdl.handle.net/2117/16911
Versió de l'editor: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevE.56.1500
Apareix a les col·leccions:NOLIN - Física No-Lineal i Sistemes Fora de l'Equilibri. Articles de revista
Departament de Física Aplicada. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius