Study of emitter width effects on BF, fT and fmax of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation
Visualitza/Obre
StudyofEmitter.pdf (513,7Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1088/0268-1242/24/11/115005
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/9902
Tipus de documentArticle
Data publicació2009-11
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This paper studies the effect of emitter width on the dc current gain, βF , and ac figures of merit,
cut-off frequency, f T, and maximum oscillation frequency, f max, of realistic structures for
200 GHz SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) using two-dimensional drift-diffusion
(DD), hydrodynamic (HD) and energy balance (EB) simulations. The carrier transport models
used are briefly presented. The SiGe-HBTs studied have a base thickness of 15 nm. Results of
the three transport models are shown and analyzed, for the different emitter geometries.This paper studies the effect of emitter width on the dc current gain, βF , and ac figures of merit,
cut-off frequency, f T, and maximum oscillation frequency, f max, of realistic structures for
200 GHz SiGe heterojunction bipolar transistors (HBTs) using two-dimensional drift-diffusion
(DD), hydrodynamic (HD) and energy balance (EB) simulations. The carrier transport models
used are briefly presented. The SiGe-HBTs studied have a base thickness of 15 nm. Results of
the three transport models are shown and analyzed, for the different emitter geometries.
CitacióSchröter, M.; Lopez, J. Study of emitter width effects on BF, fT and fmax of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation. "Semiconductor science and technology", Novembre 2009, vol. 24, núm. 11, p. 1-8.
ISSN0268-1242
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
StudyofEmitter.pdf | 513,7Kb | Accés restringit |