Application of selective leaching in fabrication of thin film ybco devices
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/988
Tipus de documentArticle
Data publicació1993-03-31
EditorIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Ethylenediamine solutions have been shown to turn bulk YBCO into insulating materials. The effect of these solutions on thin YBCO films is studied. In both unpatterned and patterned films, a smooth decrease in critical currents, a transition to normal state, and a subsequent gradual increase in resistance are observed as a function of exposure time to the solution. It is noted that these characteristics might make this process desirable for weak-link and on-film resistor fabrication.
CitacióJames, P. M.; O'Callaghan, J. M.; Application of selective leaching in fabrication of thin film YBCO devices. IEEE Transactions on applied superconductivity, 1993, vol. 3, núm. 1, p. 2972-2974.
ISSN1051-8223
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
application of selctive.pdf | 288,6Kb | Visualitza/Obre |