An alternative characterization method of PFET sub-threshold slope under NBTI stress
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/9865
Tipus de documentComunicació de congrés
Data publicació2010
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The effects of negative bias temperature instability (NBTI) on the sub-threshold performance of a pFET have been investigated by means of experimental methods. Specifically, the sub-threshold slope under static and dynamic NBTI stress has been characterized for different NBTI stress conditions. In order to perform the characterization, a proposal based on an alternative measurement technique to obtain the sub-threshold slope is presented. Our first results indicate that similar sub-threshold slope is obtained in all stress conditions.
CitacióFernandez, R.; Gil, I. An alternative characterization method of PFET sub-threshold slope under NBTI stress. A: European Solid State Device Research Conference. "ESSDERC". Sevilla: 2010.
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
fringe_poster_sesion.pdf | 74,21Kb | Visualitza/Obre |