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dc.contributorRubio Solà, José Antonio
dc.contributor.authorGonzález Jiménez, José Luis
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.date.accessioned2011-04-12T15:13:23Z
dc.date.available2010-01-11
dc.date.issued1998-01-19
dc.date.submitted2009-07-23
dc.identifier.citationGonzález Jiménez, J.L. Técnicas de reducción del ruido de conmutación en circuitos integrados CMOS. Tesi doctoral, UPC, Departament d'Enginyeria Electrònica, 1998. ISBN 9788469301364.
dc.identifier.isbn9788469301364
dc.identifier.otherhttp://www.tdx.cat/TDX-0723109-092632
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2117/93681
dc.description.abstractEl ruido de conmutación generado por los circuitos digitales representa un problema importante que a menudolimita las prestaciones de los circuitos integradosdigitales y mixtos. éste ruido de conmutación estápresente en los terminales de alimentación internos delos circuitos y es debido a la inductancia parásita quepresentan los terminales y conductores del encapsulado.Estos componentes inductivos transforman en ruido detensión la derivada temporal de los pulsos de corrientedemandados por la lógica al conmutar. Al estar presenteen los terminales de alimentación puede afectar acualquier zona del circuito. Además, dado que losterminales de alimentación se utilizan para polarizar elsubstrato o el pozo de los CI semiconductores el ruido esinyectado en dicho substrato y puede propagarse por él,afectando incluso a circuitos que no comparten la mismaalimentación que los circuitos digitales generadores delruido.En los últimos años se han propuesto diferentesalternativas para solucionar este problema, la mayoría deellas centradas en dos aspectos. El primero de ellosconsiste en introducir condensadores de desacoplo dentrodel encapsulado y/o reducir el valor de la inductanciadel encapsulado a base de incrementar el número determinales dedicados a alimentaciones o a base deutilizar técnicas de encapsulado avanzadas. El segundo secentra en el diseño de circuitos de salida que generenbajos niveles de ruido, pues los condensadores internosde desacoplo no reducen el ruido generado por estoscircuitos. En este trabajo de tesis se analizan todasestas técnicas y se realiza un estudio más detallado delruido generado internamente. Se proponen técnicas dereducción del ruido de conmutación en todos los aspectos:distribución de la alimentación, diseño lógico y diseñode los circuitos de salida de los CI CMOS, y se presentanresultados experimentales medidos sobre prototiposfabricados que
dc.language.isospa
dc.publisherUniversitat Politècnica de Catalunya
dc.rightsADVERTIMENT. L'accés als continguts d'aquesta tesi doctoral i la seva utilització ha de respectar els drets de la persona autora. Pot ser utilitzada per a consulta o estudi personal, així com en activitats o materials d'investigació i docència en els termes establerts a l'art. 32 del Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual (RDL 1/1996). Per altres utilitzacions es requereix l'autorització prèvia i expressa de la persona autora. En qualsevol cas, en la utilització dels seus continguts caldrà indicar de forma clara el nom i cognoms de la persona autora i el títol de la tesi doctoral. No s'autoritza la seva reproducció o altres formes d'explotació efectuades amb finalitats de lucre ni la seva comunicació pública des d'un lloc aliè al servei TDX. Tampoc s'autoritza la presentació del seu contingut en una finestra o marc aliè a TDX (framing). Aquesta reserva de drets afecta tant als continguts de la tesi com als seus resums i índexs.
dc.sourceTDX (Tesis Doctorals en Xarxa)
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
dc.titleTécnicas de reducción del ruido de conmutación en circuitos integrados CMOS
dc.typeDoctoral thesis
dc.subject.lemacMetall-òxid-semiconductors complementaris
dc.subject.lemacSoroll
dc.identifier.dlB.12868-2010
dc.rights.accessOpen Access
dc.description.versionPostprint (published version)
dc.identifier.tdxhttp://hdl.handle.net/10803/6369


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