NEMsCAM: A novel CAM cell based on nano-electro-mechanical switch and CMOS for energy efficient TLBs
Visualitza/Obre
10.1109/NANOARCH.2015.7180586
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/88551
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2015-07-10
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In this paper we propose a novel Content Addressable Memory (CAM) cell, NEMsCAM, based on both Nano-electro-mechanical (NEM) switches and CMOS technologies. The memory component of the proposed CAM cell is designed with two complementary non-volatile NEM switches and located on top of the CMOS-based comparison component. As a use case for the NEMsCAM cell, we design first-level data and instruction Translation Lookaside Buffers (TLBs) with 16nm CMOS technology at 2GHz. The simulations show that the NEMsCAM TLB reduces the energy consumption per search operation (by 27%), write operation (by 41.9%) and standby mode (by 53.9%), and the area (by 40.5%) compared to a CMOS-only TLB with minimal performance overhead.
CitacióSeyedi, Azam [et al.]. "NEMsCAM: A novel CAM cell based on nano-electro-mechanical switch and CMOS for energy efficient TLBs". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2015.
ISSN2327-8218
Col·leccions
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
NEMsCAM A Novel CAM Cell.pdf | 3,052Mb | Visualitza/Obre |