Modelado físico de transistores MESFET y HEMT
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/87997
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació1994
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
Models are developed for the de I-V curves and microwave small-signal parameters of the GaAs MESFET and HEMT. In the first step, the concept of a local small-signal equivalent circuit is introduced. In the second step, a formulation of the
CitacióLázaro, A., Pradell, L., Torres, F. Modelado físico de transistores MESFET y HEMT. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "Unión Científica Internacional de Radio: IX Symposium Nacional: Las Palmas de Gran Canaria, 21-23 de Septiembre de 1994: actas, tomo III". Las Palmas de Gran Canaria: 1994, p. 1010-1014.
Dipòsit legalG.C. 1168-1994
Col·leccions
- RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones - Ponències/Comunicacions de congressos [151]
- RSLAB - Remote Sensing Research Group - Ponències/Comunicacions de congressos [651]
- Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions - Ponències/Comunicacions de congressos [3.327]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Modelado físico de transistores MESFET y HEMT.pdf | 649,0Kb | Visualitza/Obre |