Analisis de respuesta de transistores basados en silicio macroporoso

Abstract

La electrónica se trata, sin duda, de una de las ramas científicas que ha sufrido una mayor y más rápida evolución en los últimos años. Desde la invención del diodo a principios del siglo XX, una serie de nuevos dispositivos, basados en diferentes efectos físicos y con diferentes propiedades han visto la luz, permitiendo un gran avance en todo el conjunto de aplicaciones tecnológicas disponibles en la actualidad. Concretamente, el descubrimiento de los dispositivos basados en semiconductores provocó una auténtica revolución tecnológica que hoy en día sigue su curso. Las aplicaciones actuales a veces requieren unos niveles de intensidad elevados controlados a partir de una tensión baja. Es en este contexto donde surge la idea que desarrollamos en este proyecto. Centrándonos en el ámbito de los transistores de efecto de campo, en los cuales una tensión de control es capaz de regular el flujo de corriente que circula por su interior, la manera de obtener un nivel de intensidad elevado es mediante un aumento en el volumen del canal, al ser dicha intensidad proporcional al mismo. Como consecuencia de este aumento, se requiere la aplicación de una tensión de control lo suficientemente grande como para poder dominar ese nuevo flujo que atraviesa el dispositivo. En otras palabras, al intentar aumentar el nivel de intensidad obtenida estamos sufriendo una pérdida de control sobre el dispositivo, ya que se requieren tensiones de puerta más elevadas. A lo largo de esta memoria se estudia la posibilidad de crear un nuevo dispositivo de efecto de campo utilizando el silicio macroporoso, con el fin de romper el compromiso existente entre los dos requisitos anteriores y obtener niveles de intensidad elevados y fácilmente regulables mediante una baja tensión de control.