Amplificadores multietapa de bajo en las bandas de 20 y 30ghz
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/87111
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació1989
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
Microstrip coupled lines technology has been used to design and built low noise amplifiers in 20 and 30 GHz bands. Active devices are GaAs MESFET and HEMT in chip form. The amplifiers have input and output waveguide interfaces, probe transitions between microstrip line and rectangular waveguide are described. Two three-stage low noise amplifiers, at 20 and 30 GHz respectively, are presented.
CitacióArtal, E., Corbella, I., Busquets, C., Pradell, L. Amplificadores multietapa de bajo en las bandas de 20 y 30ghz. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "IV simposium nacional de Unión Científica Internacional de Radio: libro de actas: Santander, 25-27 de septiembre de 1989". Santander: 1989, p. 231-235.
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Amplificadores ... s bandas de 20 y 30ghz.pdf | 1,939Mb | Visualitza/Obre |