Mostra el registre d'ítem simple

dc.contributor.authorLázaro Guillén, Antoni
dc.contributor.authorPradell i Cara, Lluís
dc.contributor.authorBeltrán, A
dc.contributor.authorO'Callaghan Castellà, Juan Manuel
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions
dc.date.accessioned2016-04-28T07:47:06Z
dc.date.available2016-04-28T07:47:06Z
dc.date.issued1998-02
dc.identifier.citationLazaro, A., Pradell, L., Beltrán, A., O'callaghan, J. Direct extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements. "Electronics Letters", Febrer 1998, vol. 34, núm. 3, p. 289-291.
dc.identifier.issn0013-5194
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2117/86306
dc.description.abstractA new method for measuring the four noise parameters (NPs) of a transistor is presented. It is based on the determination of its intrinsic noise matrix elements (C, ,INT, C,,7NT, Re(C,,
dc.format.extent3 p.
dc.language.isoeng
dc.publisherInstitution of Electrical Engineers
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
dc.subject.lcshElectronics
dc.titleDirect extraction of all four transistor noise parameters from 50 noise figure measurements
dc.typeArticle
dc.subject.lemacElectrònica
dc.contributor.groupUniversitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
dc.description.peerreviewedPeer Reviewed
dc.rights.accessOpen Access
local.identifier.drac1635273
dc.description.versionPostprint (published version)
local.citation.authorLazaro, A.; Pradell, L.; Beltrán, A.; O'callaghan, J.
local.citation.publicationNameElectronics Letters
local.citation.volume34
local.citation.number3
local.citation.startingPage289
local.citation.endingPage291


Fitxers d'aquest items

Thumbnail

Aquest ítem apareix a les col·leccions següents

Mostra el registre d'ítem simple