Caracterización de transistores de microondas mediante la técnica de calibración TRL
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/86158
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació1989
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
In this paper, the design of a Microstrip Test Fixture for TRL calibration is described. Experimental results for S-parameters measurement of a GaAs FET chip in the 3-22 GHz frequency range are presented. Repeatability of connections and measurements is discussed and experimental results are also presented .
CitacióPradell, L., Artal, E., Comeron, A., Corbella, I., Sabater, C. Caracterización de transistores de microondas mediante la técnica de calibración TRL. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "IV simposium nacional de Unión Científica Internacional de Radio: libro de actas: Santander, 25-27 de septiembre de 1989". Santander: 1989, p. 419-423.
Col·leccions
- RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones - Ponències/Comunicacions de congressos [151]
- RSLAB - Remote Sensing Research Group - Ponències/Comunicacions de congressos [651]
- Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions - Ponències/Comunicacions de congressos [3.327]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
CARACTERIZACION ... DE MICROONDAS MEDIANTE.pdf | 2,833Mb | Visualitza/Obre |