Caracterización de dispositivos de AsGa MESFET. Amplificadores de bajo ruido. Ganancia máxima. Ampliación del margen dinámico
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació1980
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
A method for de characterization of solid state amplifying devices has been developed thats allows one the determination of the input and o output amplifier, matching networks for low noise, maximum power transfer and maximum output power compatible with system linearity. The method as the same for the three purposes permithings the small signal as well the large signal device characterization. The work assumes that the device polarization is fixed by the particular application.
Citacióde los Reyes, E., Elias, A. Caracterización de dispositivos de AsGa MESFET. Amplificadores de bajo ruido. Ganancia máxima. Ampliación del margen dinámico. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "URSI 1980: Unión Radio Científica Internacional: I symposium nacional: Madrid: 7-8 octubre 1980". Madrid: 1980, p. 309-312.
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Caracterización ... ón del margen dinámico.pdf | 2,042Mb | Visualitza/Obre |