Fabricacion y caracterizacion de guias opticas integradas sobre sustratos de silicio
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació1991
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
Silicon nitride (Si 3 N4 ) planar optical waveguides have been successfully grown by lowpressure chemical vapor deposition (LPCVD). Silicon p-type wafers with a (100) orientation were used as substrates, and the Si3 N4 was separated from the lossy Si substrate by a thermally grown SiO2 thin film.
CitacióTorner, L., Alcubilla, R., Calderer, J. Fabricacion y caracterizacion de guias opticas integradas sobre sustratos de silicio. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "VI Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. URSI 1991". Caceres: 1991, p. 1145-1149.
ISBN84-600-7766-7
Col·leccions
- MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies - Ponències/Comunicacions de congressos [141]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos [1.715]
- Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions - Ponències/Comunicacions de congressos [3.327]
- FOTONICA - Grup de Recerca de Fotònica - Ponències/Comunicacions de congressos [28]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Fabricacion y c ... e sustratos de silicio.pdf | 1,630Mb | Visualitza/Obre |