Fabricacion y caracterizacion de guias opticas integradas sobre sustratos de silicio

Cita com:
hdl:2117/84974
Document typeConference report
Defense date1991
Rights accessOpen Access
This work is protected by the corresponding intellectual and industrial property rights.
Except where otherwise noted, its contents are licensed under a Creative Commons license
:
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
Abstract
Silicon nitride (Si 3 N4 ) planar optical waveguides have been successfully grown by lowpressure chemical vapor deposition (LPCVD). Silicon p-type wafers with a (100) orientation were used as substrates, and the Si3 N4 was separated from the lossy Si substrate by a thermally grown SiO2 thin film.
CitationTorner, L., Alcubilla, R., Calderer, J. Fabricacion y caracterizacion de guias opticas integradas sobre sustratos de silicio. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "VI Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. URSI 1991". Caceres: 1991, p. 1145-1149.
ISBN84-600-7766-7
Collections
- MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies - Ponències/Comunicacions de congressos [141]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos [1.802]
- Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions - Ponències/Comunicacions de congressos [3.446]
- FOTONICA - Grup de Recerca de Fotònica - Ponències/Comunicacions de congressos [28]
Files | Description | Size | Format | View |
---|---|---|---|---|
Fabricacion y c ... e sustratos de silicio.pdf | 1,630Mb | View/Open |