Simulación no líneal de transistores MESFET
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/83835
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació1991
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
To design microwave transistor oscillators or power amplifiers a good non-linear characterization of the transistor is needed. This characterization can be obtained by measuring it on large signa! operation in a load-pull setup. This is a very time consuming method and dificult to implement, especially at millimeter wave frequencies, where good test fixtures are difficult to build. This paper describes a method to determine a non-linear model of MESFET transistors, based on experimental results. Using this non-linear model and by means of numerical methods, based on the harmonic balance mcthod, large signa! measurements can be simulated, thus allowing to easily obtain valuable design data.
CitacióCorbella, I. Simulación no líneal de transistores MESFET. A: Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. "VI Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio. URSI 1991". Caceres: 1991, p. 145-149.
ISBN84-600-7766-7
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Simulacion no lineal de transistores mesfet.pdf | 1,826Mb | Visualitza/Obre |