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dc.contributor.authorHernández Silva, Noel
dc.contributor.authorCodina, Ramon
dc.date.accessioned2015-10-02T13:20:16Z
dc.date.available2015-10-02T13:20:16Z
dc.date.issued2010
dc.identifier.citationHernández Silva, Noel; Codina, Ramon. Resolución numérica de las ecuaciones de la magnetohidrodinámica en el proceso Czochralski para la obtención de cristales semiconductores. "Revista internacional de métodos numéricos para cálculo y diseño en ingeniería", 2010, vol. 26, núm. 3, p. 195-201.
dc.identifier.issn1886-158X
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2117/77303
dc.description.abstractEl objetivo de este trabajo es introducir y resolver numéricamente el modelo matemático para el comportamiento del líquido semiconductor en el proceso Czochralski de obtención de cristales semicondutores bajo la acción de un campo magnético. Dicho modelo corresponde a las ecuaciones de la Magnetohidrodinámica. La resolución numérica de este modelo matemático presenta dificultades importantes debido a que en él están involucrados fenómenos de Mecánica de Fluidos, Electromagnetismo y Transferencia de Calor. Para la resolución numérica de este modelo se emplea un método de elementos finitos estabilizado basado en la versión algebraica de las subescalas de malla, lo cual permite satisfacer tanto la condición de divergencia nula sobre la velocidad del fluido como la condición de divergencia nula sobre el campo magnético además de evitar oscilaciones numéricas. El esquema usado en este trabajo está basado en el esquema propuesto en (1). El esquema de elementos finitos antes mencionado se aplica al ejemplo numérico propuesto por Bückle (2). Dicho ejemplo es la comparación numérica más extendida para el proceso de Czochralski. Los casos analizados en este trabajo sólo difieren de los propuestos por Bückle en el hecho de que se les ha añadido un campo magnético . El empleo de campos magnéticos en el proceso de Czochralski está encaminado a reducir y eliminar las perturbaciones en el fluido que pudieran dar origen a defectos en el cristal semiconductor.
dc.description.abstractThe objective of this work is to introduce and numerically solve the mathematical model for the bahavior of liquid semiconductors in the Czochralski process to obtain semiconductor crystals under the influence of a magnetic field. Such model is framed within the Magnetohydrodynamics equations. The numerical solution of this mathematical model presents important difficulties due to the involvement of phenomena from Fluid Mechanics, Electromagnetism and Heat Transfer. In order to numerically solve this model a stabilized finite element approximation based on tha algebraic version of a subgrid scale model in used. This approach makes possible to satisfy the free divergence condition over the velocity of the fluid together with the free divergence condition over the magnetic field and also to avoid numerical oscillations. The numerical scheme used in this work is based on the scheme proposed in (1). This numerical scheme is applied to the numerical benchmark proposed by Bückle (2). Such example is the most common numerical benchmark for the Czochralski process. The cases analysed in this work only differ from those proposed by Bückle in the fact that a magnetic field has been added. The use of magnetic fields in the Czochralski process is headed to diminish and suppress the perrturbations inthe liquid which can originate defects in the semiconductor cristal.
dc.format.extent7 p.
dc.language.isospa
dc.publisherUniversitat Politècnica de Catalunya. CIMNE
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Matemàtiques i estadística::Anàlisi numèrica::Mètodes en elements finits
dc.subject.lcshFinite element method
dc.subject.lcshMagnetohydrodynamics
dc.subject.lcshSemiconductors
dc.titleResolución numérica de las ecuaciones de la magnetohidrodinámica en el proceso Czochralski para la obtención de cristales semiconductores
dc.title.alternativeNumerical resolution of the magnetohydrodynamics equations for the Czochralski process to obtain semiconductor crystals
dc.typeArticle
dc.subject.lemacElements finits, Mètode dels
dc.subject.lemacMagnetohidrodinàmica
dc.subject.lemacSemiconductors
dc.description.peerreviewedPeer Reviewed
dc.rights.accessOpen Access
upcommons.citation.publishedtrue
upcommons.citation.publicationNameRevista internacional de métodos numéricos para cálculo y diseño en ingeniería
upcommons.citation.volume26
upcommons.citation.number3
upcommons.citation.startingPage195
upcommons.citation.endingPage201


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