Mostra el registre d'ítem simple

Experimental Characterization of NBTI Effect on pMOSFET and CMOS Inverter

dc.contributor.authorFernández García, Raúl
dc.contributor.authorKaczer, Ben
dc.contributor.authorGago Barrio, Javier
dc.contributor.authorRodríguez, Rosana
dc.contributor.authorNafría Maqueda, Montserrat
dc.contributor.otherUniversitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.date.accessioned2010-01-25T12:34:49Z
dc.date.available2010-01-25T12:34:49Z
dc.date.created2009-02
dc.date.issued2009-02
dc.identifier.citationFernandez, R. [et al.]. Experimental Characterization of NBTI Effect on pMOSFET and CMOS Inverter. A: Conference on Electron Devices. "7th Spanish conference on Electron Devices (CDE 2009)". Santiago de Compostela: 2009.
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2117/6216
dc.format.extent1 p.
dc.language.isoeng
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
dc.subject.lcshElectronic apparatus and appliances
dc.titleExperimental Characterization of NBTI Effect on pMOSFET and CMOS Inverter
dc.typeConference lecture
dc.subject.lemacElectrònica--Aparells i instruments
dc.contributor.groupUniversitat Politècnica de Catalunya. (TIEG) - Terrassa Industrial Electronics Group
dc.description.peerreviewedPeer Reviewed
dc.rights.accessOpen Access
local.identifier.drac2320779
dc.description.versionPostprint (published version)
local.citation.authorFernandez, R.; Kaczer, B.; Gago, J.; Rodríguez, R.; Nafria, M.
local.citation.contributorConference on Electron Devices
local.citation.pubplaceSantiago de Compostela
local.citation.publicationName7th Spanish conference on Electron Devices (CDE 2009)


Fitxers d'aquest items

Thumbnail
Nom:
NBTI.pdf
Mida:
210,8Kb
Format:
PDF
Descripció:
Poster
Visualitza/Obre

Aquest ítem apareix a les col·leccions següents

Mostra el registre d'ítem simple