On the fitting and improvement of RRAM stanford-based model parameters using TiN/Ti/HfO2/W experimental data
Visualitza/Obre
On_the_Fitting_and_Improvement_of_RRAM_Stanford-Based_Model_Parameters_Using_TiN_Ti_HfO2_W_Experimental_Data.pdf (1,871Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1109/DCIS55711.2022.9970051
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/381482
Tipus de documentComunicació de congrés
Data publicació2022
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The use of Resistive Random Access Memory (RRAM) devices is becoming pervasive in many applications. In particular, security based primitives can exploit their variability and non-volatility for generating cells for Non-Volatile Secure Memory (NVSM) and Physically Unclonable Function (PUF). Stanford-PKU Resistive Random Access Memory (RRAM) model is a successful model that has been used for simulating different types of RRAM-based systems. However, some circuit-related problems appear when more than one device are coupled together. In this paper, a parameter fitting is performed for a real TiN/Ti/HfO 2 /W RRAMs and the statistical characteristics of the variability in the experimental data are analyzed and included in order to obtain a more reliable model for simulations.
Descripció
© 2022 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes,creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
CitacióMahboubi, V. [et al.]. On the fitting and improvement of RRAM stanford-based model parameters using TiN/Ti/HfO2/W experimental data. A: Conference on Design of Circuits and Integrated Systems. "37th Conference on Design of Circuits and Integrated Systems (DCIS 2022): Pamplona, Spain: november 16-18, 2022: proceedings". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2022, p. 1-6. ISBN 978-1-6654-5950-1. DOI 10.1109/DCIS55711.2022.9970051.
ISBN978-1-6654-5950-1
Versió de l'editorhttps://ieeexplore.ieee.org/document/9970051
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
On_the_Fitting_ ... O2_W_Experimental_Data.pdf | 1,871Mb | Accés restringit |