Caracterització i modelació de memristors sota ressonància estocàstica per aplicacions en seguretat a nivell de hardware (EEL)

Abstract

Aquest projecte ha sigut possible gràcies a la proposta de l’equip d’investigació del Departament d’Electrònica de la Universitat Politècnica de Catalunya. Es centra en l’àrea de la seguretat en el hardware (Hardware Security) que actualment és un dels àmbits de recerca en tecnologia electrònica que ha rebut una forta empenta amb l’expansió de l’internet de les coses (Internet of Things). La constant miniaturització dels circuits integrats (Integrated Circuits) fa necessari l’estudi i proposta de nous dispositius nanomètrics per tal de continuar amb els seus nivells d’integració i les seves altes prestacions. A més a més, la seguretat en la transmissió i emmagatzematge de les dades és una de les característiques que han de poder-se assegurar en aquest món actual tan interconnectat. En aquest treball de fi de Màster es caracteritzarà el comportament elèctric de memristors aïllats del tipus RRAM sota la influència de ressonància estocàstica tant a nivell DC com en funcionament dinàmic (polsos). Aquest comportament es compararà amb la resposta nominal dels dispositius realitzada prèviament. Els dispositius considerats han estat fabricats en el Centre Nacional de Microelectrònica (Bellaterra) i el treball experimental es farà a nivell d'oblia i utilitzant una estació de puntes i SMU's (source and measure unit). S'estudiarà la inclusió de les variacions realistes cicle-cicle i la resposta trobada davant el soroll. S'avaluarà l'aprofitament del comportament caracteritzat per a aplicacions en seguretat. A més a més, es dissenyarà el circuit de control en la tecnologia CMOS disponible de 65nm i es caracteritzarà el seu comportament a nivell de simulació amb el programari SPICE.