Frequency characterization of a 2.4 GHz CMOS LNA by Thermal Measurements
Cita com:
hdl:2117/373800
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2006
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This paper presents a technique to obtain electrical characteristics of analog and RF circuits, based on measuring temperature at the silicon surface close to the circuit under test. Experimental results validate the feasibility of the technique. Simulated results show how this technique can be used to measure the bandwidth and central frequency of a 2.4 GHz low noise amplifier (LNA) designed in a 0.35 microns standard CMOS technology.
Descripció
© 2006 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes,creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
CitacióMateo, D. [et al.]. Frequency characterization of a 2.4 GHz CMOS LNA by Thermal Measurements. A: IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium. "2006 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium: June 10-13, 2006: digest of papers". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2006, p. 565-568. ISBN 0-7803-9572-7. DOI 10.1109/RFIC.2006.1651204.
ISBN0-7803-9572-7
Versió de l'editorhttps://ieeexplore.ieee.org/document/1651204
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Frequency_chara ... y_thermal_measurements.pdf | 296,6Kb | Visualitza/Obre |