Plasma modified silicon nitride resistive switching memories
Visualitza/Obre
Ponència (1,750Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1109/NANOARCH47378.2019.181308
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/344209
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2019
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In this article we present RRAM single-cells based on MIS devices utilizing LPCVD silicon nitride thin layer as resistive switching material. The thin SiN layer was modified by plasma in order to improve the switching characteristics and the overall performance of the memory cell. Extensive material and electronic device characterization are presented.
CitacióKarakolis, P. [et al.]. Plasma modified silicon nitride resistive switching memories. A: IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures. "NANOARCH 2019: IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures: Qingdao, China: July 17-19, 2019: proceedings book". 2019, p. 1-2. ISBN 978-1-7281-5520-3. DOI 10.1109/NANOARCH47378.2019.181308.
ISBN978-1-7281-5520-3
Versió de l'editorhttps://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9073660
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
09073660.pdf | Ponència | 1,750Mb | Accés restringit |