Experimental investigation of memristance enhancement
Visualitza/Obre
Experimental data short paper (1,227Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1109/NANOARCH47378.2019.181299
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/344204
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2019
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Memristor devices are two-terminal nanoscale circuit elements that exhibit nonvolatile information storing and can be manufactured in ultra-dense arrays with low-power operation. Although, theoretically, memristors are strong candidates for novel memory and computing applications, the fabricated devices show high variability, both device-to-device and cycle-to-cycle, such as varying switching behaviour and maximum (R MAX ) and minimum (R MIN ) resistance values. Those limitations in the device's R MAX /R MIN ratio suppress the wide use of memristors in memory or logic applications, thus, this work presents the enhancement of this ratio on actual memristor devices, namely Knowm memristors, due to the introduction of external noise as a beneficial disturbance, following the nonlinear system phenomenon known as Stochastic Resonance.
CitacióNtinas, V. [et al.]. Experimental investigation of memristance enhancement. A: IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures. "NANOARCH 2019: IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures: Qingdao, China: July 17-19, 2019: proceedings book". 2019, p. 1-2. ISBN 978-1-7281-5520-3. DOI 10.1109/NANOARCH47378.2019.181299.
ISBN978-1-7281-5520-3
Versió de l'editorhttps://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9073637
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
ntinas2019experimental.pdf | Experimental data short paper | 1,227Mb | Accés restringit |