The origin of emitter-like recombination for inverted c-Si surfaces
Visualitza/Obre
THE ORIGIN OF EMITTER-LIKE RECOMBINATION FOR INVERTED c-Si SURFACES.pdf (367,7Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.4229/23rdEUPVSEC2008-2CV.4.20
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/343726
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2008
EditorWIP Wirtschaft und Infrastruktur GmbH & Co. Planungs-KG
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
c-Si samples whose surface passivation is based on highly inverted surfaces experimentally show a decrease in effective lifetime at low illumination levels while a flat dependence is expected from the current theoretical understanding. As an explanation for this discrepancy we propose a defect-rich bulk region close to c-Si surface. From an analytical approach, we deduce that the final lifetime dependence is a combination between an emitter-like term and a quasi-neutral bulk recombination term. Next, we use numerical modeling to simulate eff(n) curves depending on damage depth, lifetime in the damaged region and the doping density. Simulations show that inverted surfaces in highly-doped substrates are more sensitive to shallow defect regions. On the other hand, very lowly doped c-Si substrates show a lifetime reduction at high injection and the presence of a small “hump” in the lifetime when overall recombination becomes Auger-dominated. Finally, we show that experimental eff(n) curves of a-SiNx:H and Al2O3 c-Si passivated c-Si samples demonstrate the predicted characteristics which could not properly be accounted for previously.
CitacióMartin, I. [et al.]. The origin of emitter-like recombination for inverted c-Si surfaces. A: European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. "23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference: Valencia, Spain: 1-5 september, 2008: proceedings". WIP Wirtschaft und Infrastruktur GmbH & Co. Planungs-KG, 2008, p. 1388-1392. ISBN 3-936338-24-8. DOI 10.4229/23rdEUPVSEC2008-2CV.4.20.
ISBN3-936338-24-8
Versió de l'editorhttps://www.eupvsec-proceedings.com/proceedings?paper=2689
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
THE ORIGIN OF E ... INVERTED c-Si SURFACES.pdf | 367,7Kb | Accés restringit |