Design of a low-power VLSI temperature sensor
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/339774
Tipus de documentProjecte Final de Màster Oficial
Data2020-10-08
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
A low power CMOS temperature sensor with digital output is presented in this work. The sensor is current based, the combination of dependent and independent current that control the frequency of 2 ring oscillators. The difference in frequency of this two ring oscillator is converted into a digital temperature code by asynchronous counters. The reference current and the PTAT current is generated by applying a temperature dependent voltage across two resistors with different temperature coefficients. To achieve a low power consumption, the temperature voltage reference operates under 200 mV and resistors in the Mega Ohms range are utilized. In order to save area, an additional current mirror is used to reduce the current without increasing the resistor's value. This sensor was implemented in TSMC 180nm technology and occupies an area of 0.085mm2. After post layout simulations, the sensor shows a current consumption of 1.7 uA, a resolution of 0.17ºC in the 0-60ºC temperature range with a conversion time of 1.8 ms and 3.2 nJ of energy per conversion.
Col·leccions
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
TFM_TempSensor.pdf | 2,848Mb | Visualitza/Obre |