Variability impact on on-chip memory data paths
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/26568
Tipus de documentComunicació de congrés
Data publicació2014
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
Process variations have a large impact on device and circuit reliability and performance. Few studies are focused on their impact on more complex systems, as for example their influence in a data path. In our study, the impact of variations in the memory cell block is the largest measured, as it is usually designed with the minimum device dimensions. Moreover, we observe a significant influence of the device type (p/nMOS) used to implement the memory cell in terms of delay and variability robustness.
CitacióAmat, Esteve [et al.]. Variability impact on on-chip memory data paths. A: European Workshop on CMOS Variability. "5th European Workshop on CMOS Variability". 2014.
Col·leccions
- Departament d'Enginyeria de Sistemes, Automàtica i Informàtica Industrial - Ponències/Comunicacions de congressos [1.500]
- HIPICS - High Performance Integrated Circuits and Systems - Ponències/Comunicacions de congressos [144]
- ARCO - Microarquitectura i Compiladors - Ponències/Comunicacions de congressos [187]
- Departament d'Arquitectura de Computadors - Ponències/Comunicacions de congressos [1.954]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos [1.715]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
EAB_VARI14.pdf | 195,0Kb | Visualitza/Obre |