FinFET and III-V/Ge technology impact on 3T1D cell behavior
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/26567
Tipus de documentComunicació de congrés
Data publicació2013
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
In this work, we assess the performance of a ring oscillator and a DRAM cell when they are implemented with different technologies (planar CMOS, FinFET and III-V MOSFETs), and subjected to different reliability scenarios
(variability and soft errors). FinFET-based circuits show the highest robustness against variability and soft error environments.
CitacióAmat, Esteve [et al.]. FinFET and III-V/Ge technology impact on 3T1D cell behavior. A: Intel Ireland Research Conference. "Intel Ireland Research Conference". 2013.
Col·leccions
- Departament d'Enginyeria de Sistemes, Automàtica i Informàtica Industrial - Ponències/Comunicacions de congressos [1.500]
- HIPICS - High Performance Integrated Circuits and Systems - Ponències/Comunicacions de congressos [144]
- ARCO - Microarquitectura i Compiladors - Ponències/Comunicacions de congressos [187]
- Departament d'Arquitectura de Computadors - Ponències/Comunicacions de congressos [1.954]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos [1.715]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
EAB_technology_alternatives_TDMR.pdf | 355,1Kb | Visualitza/Obre |