Mostra el registre d'ítem simple
Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente
| dc.contributor.author | Pérez Delgado, Raúl |
| dc.contributor.author | Román Lumbreras, Manuel |
| dc.contributor.author | Velasco Quesada, Guillermo |
| dc.contributor.other | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
| dc.date.accessioned | 2015-02-09T15:46:10Z |
| dc.date.available | 2015-02-09T15:46:10Z |
| dc.date.created | 2014 |
| dc.date.issued | 2014 |
| dc.identifier.citation | Perez, R.; Roman, M.; Velasco, G. Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente. A: Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation. "Proceedings of the XXI Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation". Tangier: Universitat Rovira i Virgili, 2014, p. 1007-1-1007-6. |
| dc.identifier.isbn | TBD |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/26269 |
| dc.description.abstract | En este artículo se analiza el comportamiento eléctrico y térmico de transistores PT-IGBT conectados en paralelo utilizando un control activo de reparto equilibrado de corriente. El estudio de la estructura interna y de las ecuaciones que describen el funcionamiento de un transistor IGBT muestra la capacidad de modificar el funcionamiento del transistor según la relación tensión-corriente colector-emisor (VCE-ICE) variando el valor de la tensión puerta-emisor (VGE). Finalmente se comparan los resultados de funcionamiento de los transistores con control de reparto de corriente con los obtenidos sin aplicar ninguna acción de control. |
| dc.language.iso | spa |
| dc.publisher | Universitat Rovira i Virgili |
| dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ |
| dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Components electrònics::Transistors |
| dc.subject.lcsh | Transistors |
| dc.title | Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente |
| dc.type | Conference report |
| dc.subject.lemac | Transistors |
| dc.subject.lemac | Transistors bipolars |
| dc.subject.lemac | Enginyeria elèctrica |
| dc.contributor.group | Universitat Politècnica de Catalunya. GREP - Grup de Recerca en Electrònica de Potència |
| dc.contributor.group | Universitat Politècnica de Catalunya. EPIC - Energy Processing and Integrated Circuits |
| dc.identifier.dl | TBD |
| dc.relation.publisherversion | http://www.saaei.org/edicion14/ |
| dc.rights.access | Open Access |
| local.identifier.drac | 15426187 |
| dc.description.version | Postprint (published version) |
| local.citation.author | Perez, R.; Roman, M.; Velasco, G. |
| local.citation.contributor | Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation |
| local.citation.pubplace | Tangier |
| local.citation.publicationName | Proceedings of the XXI Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation |
| local.citation.startingPage | 1007-1 |
| local.citation.endingPage | 1007-6 |
