Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/26269
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2014
EditorUniversitat Rovira i Virgili
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
En este artículo se analiza el comportamiento eléctrico y térmico de transistores PT-IGBT conectados en paralelo utilizando un control activo de reparto equilibrado de corriente. El estudio de la estructura interna y de las ecuaciones que describen el funcionamiento de un transistor IGBT muestra la capacidad de modificar el funcionamiento del transistor según la relación tensión-corriente colector-emisor (VCE-ICE) variando el valor de la tensión puerta-emisor (VGE). Finalmente se comparan los resultados de funcionamiento de los transistores con control de reparto de corriente con los obtenidos sin aplicar ninguna acción de control.
CitacióPerez, R.; Roman, M.; Velasco, G. Estudio eléctrico y térmico en transistores IGBT en paralelo con control de reparto de corriente. A: Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation. "Proceedings of the XXI Annual Seminar on Automation, Industrial Electronics and Instrumentation". Tangier: Universitat Rovira i Virgili, 2014, p. 1007-1-1007-6.
Dipòsit legalTBD
ISBNTBD
Versió de l'editorhttp://www.saaei.org/edicion14/
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
P-PCT-1.pdf | SAAEI-XXI | 1,988Mb | Visualitza/Obre |