Impact of finfet and III-V/Ge technology on logic and memory cell behavior
Visualitza/Obre
Impact of finfet and IIIVGe technology on logic and memory cell behavior (1,213Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/21907
Tipus de documentArticle
Data publicació2013-11-20
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
In this work, we assess the performance of a ring oscillator and a DRAM cell when they are implemented with different technologies (planar CMOS, FinFET and III-V MOSFETs), and subjected to different reliability scenarios (variability and soft errors). FinFET-based circuits show the highest robustness against variability and soft error environments.
CitacióAmat, E. [et al.]. Impact of finfet and III-V/Ge technology on logic and memory cell behavior. "IEEE transactions on device and materials reliability", 20 Novembre 2013, vol. 14, núm. 1, p. 1-15.
ISSN1530-4388
Versió de l'editorhttp://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=6670777
Col·leccions
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Impact of finfe ... d memory cell behavior.pdf | Impact of finfet and IIIVGe technology on logic and memory cell behavior | 1,213Mb | Accés restringit |