Evaluation of trr distorting effects reduction in DCI-NPC multilevel power amplifiers by using SiC diodes and MOSFET technologies
Visualitza/Obre
AES133-000144.pdf (1,372Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/19170
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2013
EditorCurran
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In the last decade, the Power Amplifier applications have used multilevel diode-clamped-inverter or neutral-point-clamped (DCI-NPC) topologies to present very low distortion at high power. In these applications a lot of research has been done in order to reduce the sources of distortion in the DCI-NPC topologies. One of the most important sources of distortion, and less studied, is the reverse recovery time (trr) of the clamp diodes and MOSFET parasitic diodes. Today, with the emergence of Silicon Carbide (SiC) technologies, these sources of distortion are minimized. This paper presents a comparative study and evaluation of the distortion generated by different combinations of diodes and MOSFETs with Si and SiC technologies in a DCI-NPC multilevel Power Amplifier in order to reduce the distortions generated by the non-idealities of the semiconductor devices.
CitacióSala, V. [et al.]. Evaluation of trr distorting effects reduction in DCI-NPC multilevel power amplifiers by using SiC diodes and MOSFET technologies. A: Audio Engineering Society. "Proceedings of 133nd Audio Engineering Society Convention 2012". San Francisco, California: Curran, 2013.
ISBN9781622766031
Versió de l'editorhttp://cataleg.upc.edu/record=b1373871~S1*cat
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
AES133-000144.pdf | 1,372Mb | Accés restringit |