Estudio y diseño de un convertidor basado en GaN

Abstract

En este proyecto se ha realizado el diseño de un convertidor trifásico conmutado utilizando semiconductores basados en Nitruro de Galio (GaN)como material semiconductor en los transistores de potencia. Para ello, se ha indagado en el funcionamientoy propiedades de transistores basados en GaN. Se muestran desde una perspectiva bastante general las propiedades del Nitruro de Galio como materialsemiconductor y se compara con los demás materiales semiconductores más comunes en aplicaciones de potencia. Se ha simulado el comportamiento del transistor seleccionado mediante LTSpice.Posteriormente y habiendo verificado su funcionamiento, se ha diseñado un ondulador trifásicoadecuando eldiseño a las necesidades del dispositivoGaN utilizando el software Altium Designer para la implementación de la placa de circuito impreso (PCB)