Benefits of applying nodal sampling to SMOS data over semi-enclosed seas and strongly RFI-contaminated regions
Visualitza/Obre
08518510.pdf (783,2Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1109/IGARSS.2018.8518510
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/165835
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2018
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Radio Frequency Interferences (RFI) are still an important source of contamination in SMOS data. The application of nodal sampling (NS) to brightness temperature images helps to mitigate the degradation that RFIs produce in geophysical retrievals. Nodal sampling has been extensive and successfully tested over open ocean and in the proximity to coastal regions. In this work, we assess the performances of NS over strongly RFI-contaminated ocean regions, particularly over semi-enclosed seas. These regions are especially challenging because of the strong contamination caused by the nearby RFI sources over land and the residual land-sea contamination.
CitacióGonzález-Gambau, V. [et al.]. Benefits of applying nodal sampling to SMOS data over semi-enclosed seas and strongly RFI-contaminated regions. A: IEEE International Geoscience and Remote Sensing Symposium. "2018 IEEE International Geoscience & Remote Sensing Symposium: proceedings: July 22–27, 2018 Valencia, Spain". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2018, p. 305-308.
ISBN978-1-5386-7150
Versió de l'editorhttps://ieeexplore.ieee.org/document/8518510/
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
08518510.pdf | 783,2Kb | Accés restringit |