Maximum IR-drop in On-Chip Power Distribution Networks of Wire-Bonded Integrated Circuits
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/14651
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
A compact IR-drop model for on-chip power
distribution networks in wire-bonded ICs is presented. Chip
dimensions, metal coverage and piecewise distribution of the IC
consumption are taken into account to obtain closed form
expressions for the maximum IR-drop as well as its place.
Comparison with simulations shows an error as small as 2% in
most the cases.
CitacióRius, J.; Aguareles, M. Maximum IR-drop in On-Chip Power Distribution Networks of Wire-Bonded Integrated Circuits. A: Conference on Design of Circuits and Integrated Systems. "DCIS2011". Albufeira: 2011, p. 487-492.
ISBN978-9729918131
Col·leccions
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades - Ponències/Comunicacions de congressos [60]
- Departament de Matemàtiques - Ponències/Comunicacions de congressos [1.080]
- EGSA - Equacions Diferencials, Geometria, Sistemes Dinàmics i de Control, i Aplicacions - Ponències/Comunicacions de congressos [62]
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat - Ponències/Comunicacions de congressos [78]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos [1.715]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
DCIS_2011.pdf | article DCIS11 | 209,3Kb | Visualitza/Obre |