8T SRAM Cell with Open Defects under Voltage and Timing Variations
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/14597
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
CitacióRodríguez-Montañés, R. [et al.]. 8T SRAM Cell with Open Defects under Voltage and Timing Variations. A: Conference on Design of Circuits and Integrated Systems. "DCIS 2011". Albufeira: 2011, p. 155-160.
Col·leccions
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades - Ponències/Comunicacions de congressos [60]
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat - Ponències/Comunicacions de congressos [78]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos [1.715]
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
dcis2011.pdf | 1,655Mb | Visualitza/Obre |