8T SRAM Cell with Open Defects under Voltage and Timing Variations
View/Open
Document typeConference report
Defense date2011
Rights accessOpen Access
Except where otherwise noted, content on this work
is licensed under a Creative Commons license
:
Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain
CitationRodríguez-Montañés, R. [et al.]. 8T SRAM Cell with Open Defects under Voltage and Timing Variations. A: Conference on Design of Circuits and Integrated Systems. "DCIS 2011". Albufeira: 2011, p. 155-160.
Collections
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades - Ponències/Comunicacions de congressos [60]
- QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat - Ponències/Comunicacions de congressos [78]
- Departament d'Enginyeria Electrònica - Ponències/Comunicacions de congressos [1.728]
| Files | Description | Size | Format | View |
|---|---|---|---|---|
| dcis2011.pdf | 1,655Mb | View/Open |