Ring oscillator switching noise under NBTI wearout
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/13934
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In this paper the switching noise of a CMOS ring oscillator has been analysed when their pFETs are subjected to negative bias temperature instability (NBTI). The impact of pFET under NBTI has been experimentally quantified whereas CMOS ring oscillator frequency and the switching noise has been analysed by means of electrical full-model simulation. The results show that the impact on the electromagnetic compatibility behaviour increases with NBTI wearout.
CitacióFernandez, R. [et al.]. Ring oscillator switching noise under NBTI wearout. A: International Symposium on Electromagnetic Compatibility (EMC Europe). "EMC Europe 2011". York: 2011, p. 294-297.
ISBN978-0-9541146-3-3
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
6014328.pdf | 428,8Kb | Visualitza/Obre |