Analysis of body bias and RTN-induced frequency shift of low voltage ring oscillators in FDSOI technology
Visualitza/Obre
08464145.pdf (476,5Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1109/PATMOS.2018.8464145
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/130108
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2018
EditorInstitute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Projecte
Abstract
Electronic circuits powered at ultra low voltages (500 mV and below) are desirable for their low energy and power consumption. However, RTN (Random Telegraph Noise)-induced threshold voltage variations become very significant at such supply voltages. This paper evaluates the impact of RTN on additional jitter in a ring oscillator. Since FDSOI allows a large range of body bias voltages, this work studies how body biasing affects the oscillation frequency but also the jitter effects. The impact of RTN in NMOS and PMOS devices on frequency as well as the levels of supplementary jitter introduced by RTN are evaluated and compared with classical device noise.
CitacióBarajas, E. [et al.]. Analysis of body bias and RTN-induced frequency shift of low voltage ring oscillators in FDSOI technology. A: International Workshop on Power and Timing Modeling, Optimization and Simulation. "2018 IEEE 28th International Symposium on Power and Timing Modeling, Optimization and Simulation (PATMOS 2018): 2-4 July 2018, Spain". Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2018, p. 82-87.
ISBN9781538663653
Versió de l'editorhttps://ieeexplore.ieee.org/document/8464145
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
08464145.pdf | 476,5Kb | Accés restringit |