Hole transport layers based on ALD V2O5 for silicon solar cells
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/128825
Tipus de documentTreball Final de Grau
Data2018-06
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
This report summarises research on the use of vanadium (V) oxide films deposited by Atomic Layer Deposition (ALD) for a hole transport layer. Films of vanadium (V) oxide are investigated by looking at their passivation and contact resistance properties. The initial part of the project has focused on stablishing the ALD process baseline through several studies in order to determine the parameters for the best deposition. Once this has been set, task has been to study the passivation and degradation with time of the samples and specially the study of the contact resistance. Esta memoria resume la investigación en el uso de películas de óxido de vanadio (V) depositadas por ALD para una capa de transporte de huecos. Estas películas de óxido de vanadio son investigadas a través de sus propiedades de pasivación y de su resistencia de contacto. La parte inicial del proyecto se ha centrado en establecer la base del proceso ALD mediante una serie de estudios para determinar los parámetros para el mejor depósito. Una vez establecido, la tarea ha sido estudiar la pasivación y la degradación con el tiempo de las muestras y, especialmente, el estudio de la resistencia de contacto. Aquesta memòria resumeix la recerca en l'ús de pel·lícules d'òxid de vanadi (V) dipositades per ALD per a una capa de transport de forats. Aquestes pel·lícules d'òxid de vanadi són investigades a través de les seves propietats de passivació i de la seva resistència de contacte. La part inicial del projecte s'ha centrat en establir la base del procés ALD mitjançant un seguit d'estudis per tal de determinar els paràmetres per el millor dipòsit. Una vegada establert, la tasca ha estat estudiar la passivació i la degradació amb el temps de les mostres i, especialment, l'estudi de la resistència de contacte.
MatèriesSolar cells, Photovoltaic power generation, Engineering laboratories, Silicon, Cèl·lules solars, Energia solar fotovoltaica, Laboratoris d'enginyeria, Silici
TitulacióGRAU EN ENGINYERIA DE TECNOLOGIES I SERVEIS DE TELECOMUNICACIÓ (Pla 2015)
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Degree_Thesis.pdf | 28,48Mb | Visualitza/Obre |