P-type c-Si solar cells based on rear side laser processing of Al 2O 3/SiC x stacks
Visualitza/Obre
1-s2.0-S0927024812002371-main(1).pdf (624,7Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.1016/j.solmat.2012.05.012
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/124794
Tipus de documentArticle
Data publicació2012-11
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
In this work, we further investigate a new strategy to passivate and contact the rear side of p-type c-Si solar cells based on the laser processing of aluminum oxide (Al2O3)/amorphous silicon carbide (SiCx) stacks before rear metallization. For this stack, surface passivation of outstanding quality is obtained with effective surface recombination velocities in the 1 cm/s range on <100> FZ 2.3 O cm p-type substrates. The dielectric stack is processed with a 1064 nm laser defining square matrixes of spots where the dielectric film is opened. Simultaneously, part of the aluminum contained in the Al2O3 film is locally introduced into the c-Si, creating a p+ region. The presence of a SiCx capping layer onto the Al2O3 helps in the formation of this local back surface field reducing surface recombination velocity at the contacts to ~2×103 cm/s. This new technique is applied to 2×2 cm2 solar cells leading to photovoltaic conversion efficiencies well beyond 20% on 0.5 and 2.3 O cm substrates.
CitacióOrtega, P., Martin, I., Lopez, G., Colina, M.A., Orpella, A., Voz, C., Alcubilla, R. P-type c-Si solar cells based on rear side laser processing of Al 2O 3/SiC x stacks. "Solar energy materials and solar cells", Novembre 2012, vol. 106, p. 80-83.
ISSN0927-0248
Versió de l'editorhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927024812002371
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
1-s2.0-S0927024812002371-main(1).pdf | 624,7Kb | Accés restringit |