Simultaneous gettering and emitter formation in multicrystalline-Si wafers by annealing phosphorus doped amorphous silicon compounds
Visualitza/Obre
1.3535616.pdf (414,4Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/124681
Tipus de documentArticle
Data publicació2011-01-10
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
We demonstrate gettering of metal impurities in p-type multicrystalline silicon (mc-Si) wafers by annealing wafers that are surface passivated by double layers of amorphous silicon-based compounds acting as gettering sites. As inner layer we use a phosphorus-doped amorphous silicon-carbon-nitrogen alloy, providing surface passivation and acting as dopant source for the emitter formation during subsequent anneal. The outer layer is silicon nitride with antireflective properties. Anneals are done at 750, 800, and 850¿°C for 30 and 60 min. The gettering effect is as good as for a conventional POCl3 diffusion followed by extended gettering at low temperature, and it is weakly influenced by the temperature step chosen. In the range explored, the sheet resistances of the emitters and the junction depths lay between 3000 to 60 O/sq. and 100–300 nm, respectively.
CitacióFerré , R., Martin, I., Trassl, R., Alcubilla, R., Brendel, R. Simultaneous gettering and emitter formation in multicrystalline-Si wafers by annealing phosphorus doped amorphous silicon compounds. "Applied physics letters", 10 Gener 2011, vol. 98, núm. 2, p. 1-3.
ISSN0003-6951
Versió de l'editorhttp://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i2/p022102_s1
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
1.3535616.pdf | 414,4Kb | Accés restringit |