CuGaS2 and CuGaS2–ZnS porous layers from solution-processed nanocrystals
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/118333
Tipus de documentArticle
Data publicació2018-04-05
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The manufacturing of semiconducting films using solution-based approaches is considered a low cost alternative to vacuum-based thin film deposition strategies. An additional advantage of solution processing methods is the possibility to control the layer nano/microstructure. Here, we detail the production of mesoporous CuGaS2 (CGS) and ZnS layers from spin-coating and subsequent cross-linking through chalcogen-chalcogen bonds of properly functionalized nanocrystals (NCs). We further produce NC-based porous CGS/ZnS bilayers and NC-based CGS–ZnS composite layers using the same strategy. Photoelectrochemical measurements are used to demonstrate the efficacy of porous layers, and particularly the CGS/ZnS bilayers, for improved current densities and photoresponses relative to denser films deposited from as-produced NCs.
CitacióBerestok, T., Guardia, P., Estradé, S., Llorca, J., Peiró, F., Cabot, A., Brock, S. CuGaS2 and CuGaS2–ZnS porous layers from solution-processed nanocrystals. "Nanomaterials", 5 Abril 2018, vol. 8, núm. 4, p. 220-234.
ISSN2079-4991
Versió de l'editorhttp://www.mdpi.com/2079-4991/8/4/220
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
CuGaS2.pdf | 20,45Mb | Visualitza/Obre |