Very low surface recombination velocity of crystalline silicon passivated by phosphorus-doped a-SiCxNy:H(n) alloys
Visualitza/Obre
pip.802(1).pdf (93,41Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/118025
Tipus de documentArticle
Data publicació2008-03
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Hydrogenated and phosphorus-doped amorphous silicon carbonitride films (a-SiCxNy:H(n)) were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on crystalline silicon surface in order to explore surface passivation properties. Very silicon-rich films yielded effective surface recombination velocities at 1 sun-illumination as low as 3¿cm¿s-1 and 2¿cm¿s-1 on 1¿O¿cm p- and n-type crystalline silicon substrates, respectively. In order to use them as anti-reflection coating, we increased alternatively either the carbon or nitrogen content of these films. Also, a combination of passivation and antireflective films was analyzed. Finally, we explored the passivation stability under high-temperature steps.
CitacióFerre, R., Orpella, A., Muñoz, D., Martin, I., Recart, F., Voz, C., Puigdollers, J., Cabarrocas, R., Alcubilla, R. Very low surface recombination velocity of crystalline silicon passivated by phosphorus-doped a-SiCxNy:H(n) alloys. "Progress in photovoltaics", Març 2008, vol. 16, núm. 2, p. 123-127.
ISSN1062-7995
Versió de l'editorhttps://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/pip.802
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
pip.802(1).pdf | 93,41Kb | Accés restringit |