N-Type emitter surface passivaion in C-Si solar cells by means of antireflective amorphous Silicon Carbide layers
Visualitza/Obre
1.2354323.pdf (415,7Kb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/117880
Tipus de documentArticle
Data publicació2006-10
EditorAmerican Institute of Physics (AIP)
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Emitter saturation current densities (JOe) of phosphorus-diffused planar c-Si solar cell emitters passivated by silicon carbide (SiCx) layers have been determined in a wide sheet resistance range (20–500O/sq). Phosphorus diffusions were performed using solid planar diffusion sources without employing any drive-in step. Stacks of two SiCx layers were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition: first a thin silicon rich layer with excellent passivating properties and then an antireflective carbon rich layer. The thickness of the passivating layer was optimized, reaching a trade-off between the better passivation achieved for thicker layers and the increased light absorption within the layer, which reduced the photocurrent. The surface recombination velocity and the optical losses were determined for each configuration and used to calculate photovoltaic conversion efficiency limits for 50 and 90O/sq emitters. In both cases, optimum configuration is for the stacks with passivating layers that are about 8nm thick.
CitacióFerre, R., Martin, I., Ortega, P., Vetter, M., Torres, I., Alcubilla, R. N-Type emitter surface passivaion in C-Si solar cells by means of antireflective amorphous Silicon Carbide layers. "Journal of applied physics", Octubre 2006, vol. 100, núm. 7, p. 1-7.
ISSN0021-8979
Versió de l'editorhttps://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.2354323
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
1.2354323.pdf | 415,7Kb | Accés restringit |