A flexoelectric microelectromechanical system on silicon
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/116673
Tipus de documentArticle
Data publicació2016
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Flexoelectricity allows a dielectric material to polarize in response to a mechanical bending moment and, conversely, to bend in response to an electric field. Compared with piezoelectricity, flexoelectricity is a weak effect of little practical significance in bulk materials. However, the roles can be reversed at the nanoscale. Here, we demonstrate that flexoelectricity is a viable route to lead-free microelectromechanical and nanoelectromechanical systems. Specifically, we have fabricated a silicon-compatible thin-film cantilever actuator with a single flexoelectrically active layer of strontium titanate with a figure of merit (curvature divided by electric field) of 3.33 MV-1, comparable to that of state-of-the-art piezoelectric bimorph cantilevers.
CitacióBhaskar, U., Banerjee, N., Abdollahi, A., Wang, Z., Scholm, D. G., Rijnders, G., Catalan, G. A flexoelectric microelectromechanical system on silicon. "Nature nanotechnology", 2016, vol. 11, p. 263-266.
ISSN1748-3387
Versió de l'editorhttps://www.nature.com/articles/nnano.2015.260
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
2016-NN-BBAWSRG.pdf | 1,431Mb | Visualitza/Obre |