Strategies to enhance the 3T1D-DRAM cell variability robustness beyond 22 nm
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/115934
Tipus de documentArticle
Data publicació2014-10-01
Condicions d'accésAccés obert
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
ProjectePRINCIPIOS DE DISEÑO Y TEST DE SISTEMAS INTEGRADOS EN TERA-ESCALA (MICINN-TEC2008-01856)
MICROARQUITECTURA Y COMPILADORES PARA FUTUROS PROCESADORES II (MICINN-TIN2010-18368)
MICROARQUITECTURA Y COMPILADORES PARA FUTUROS PROCESADORES II (MICINN-TIN2010-18368)
Abstract
3T1D cell has been stated as a valid alternative to be implemented on L1 memory cache to substitute 6T, highly affected by device variability as technology dimensions are reduced. In this work, we have shown that 22 nm 3T1D memory cells present significant tolerance to high levels of device parameter fluctuation. Moreover, we have observed that when variability is considered the write access transistor becomes a significant detrimental element on the 3T1D cell performance. Furthermore, resizing and temperature control have been presented as some valid strategies in order to mitigate the 3T1D cell variability.
CitacióAmat, E., García, C., Aymerich, N., Canal, R., Rubio, A. Strategies to enhance the 3T1D-DRAM cell variability robustness beyond 22 nm. "Microelectronics journal", 1 Octubre 2014, vol. 45, núm. 10, p. 1342-1347.
ISSN0026-2692
Versió de l'editorhttp://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026269213002930
Col·leccions
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Strategies.pdf | Preliminary article version | 2,160Mb | Visualitza/Obre |