Thin IBC c-Si solar cells based on conventional technologies
Visualitza/Obre
Paper publicado en los proceedings (1,355Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
10.4229/EUPVSEC20172017-2CV.2.6
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/112924
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2016
EditorWIP Renewable Energies
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
Reducing the wafer thickness for c-Si solar cell fabrication is an effective approach for cost-savings. Interdigitated Back Contacts (IBC) technology is a promising candidate to be applied to thin c-Si substrates due to its potential to facilitate thin device processing: thin c-Si solar cell could be processed attached to a glass with its rear surface, where all the contacts are to be defined, still accessible. The understanding of thin IBC c-Si solar cell performance has great significance in guiding the design of such devices. In this work, we explore the performance of thin IBC c-Si solar cells by both 3D TCAD device simulations and experimental fabrication based on conventional technology developed in our research group. On one hand, an optical model is proposed using 2D ray tracing method whose results are applied to 3D ATLAS TCAD simulator which is used to simulate the electrical performance of the devices. As a result, efficiencies in the range of 20 % are expected for substrates of 10-20 µm without changing our technology. On the other hand, a ~30 µm IBC solar cell is fabricated by thinning down a previously developed IBC c-Si solar cell on conventional thick high quality substrates demonstrating a 12.1% of efficiency. The front surface passivation provided by Al2O3 is deduced by comparing with the simulation results revealing a front surface recombination velocity of about 1500 cm/s.
CitacióJin, C., Martin, I., Calle, E., Ortega, P., Lopez, G., Alcubilla, R. Thin IBC c-Si solar cells based on conventional technologies. A: European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. "EU PVSEC 2017: proceedings: 33rd European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition: proceedings of the international conference held in Amsterdam, The Netherlands, 25 September-29 September 2017". Munich: WIP Renewable Energies, 2016, p. 805-810.
Versió de l'editorhttp://www.eupvsec-proceedings.com/proceedings?paper=41433
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
2CV.2.6_paper.pdf | Paper publicado en los proceedings | 1,355Mb | Accés restringit |