Mostra el registre d'ítem simple

dc.contributorRodríguez Martínez, Ángel
dc.contributorCardador Maza, David
dc.contributor.authorGranados Martín, Javier
dc.date.accessioned2017-10-20T12:22:49Z
dc.date.available2017-10-20T12:22:49Z
dc.date.issued2017-10
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2117/108923
dc.description.abstractThe project consists of the design and manufacture of photonic crystals based on macroporous silicon. By means of a lithography we can engrave a pattern on the substrate of the silicon wafers in which we will mark the place where to grow some cavities, and in this way obtain a periodic structure. This structure allows us to confine the propagation of light in certain bands of the electromagnetic spectrum. By fixing a lithograph small enough, we will be able to operate in the infrared medium, where most gases have their absorption spectrum. In order to have a sensitivity of parts per million (p.p.m.), the profile of the photonic crystals must be improved. The objective of this project is therefore to improve the optical response of the produced photonic crystals, with the final purpose of using them in the detection of gases.
dc.description.abstractEl proyecto consiste en el diseño y fabricación de cristales fotónicos basados en silicio macroporoso. Mediante una litografía nos es permitido grabar un patrón en el sustrato de las obleas de silicio en el que nos marcará el lugar donde hacer crecer unas cavidades, y de este modo obtener una estructura periódica. Esta estructura nos permite confinar la propagación de luz en ciertas bandas del espectro electromagnético. Fijando una litografía lo suficientemente pequeña, conseguiremos operar en el medio infrarrojo, donde la mayoría de gases tiene su espectro de absorción. Con tal de tener una sensibilidad de partes por millón (p.p.m.), el perfil de los cristales fotónicos debe ser mejorado. Así pues, el objetivo de dicho proyecto es la mejora de la respuesta óptica de los cristales fotónicos fabricados, con el propósito final de utilizarlos en la detección de gases.
dc.description.abstractEl projecte consisteix en el disseny i fabricació de cristalls fotònics basats en silici macroporós. Mitjançant una litografia ens permet gravar un patró en el substrat de les oblees de silici en què ens marcarà el lloc on fer créixer unes cavitats, i d’aquest mode obtenir una estructura periòdica. Aquesta estructura ens permet confinar la propagació de llum en certes bandes de l’espectre electromagnètic. Fixant una litografia prou petita, aconseguirem operar en el medi infraroig, on la majoria de gasos tenen el seu espectre d’absorció. Per tal de tindre una sensibilitat de parts per milió (p.p.m), el perfil dels cristalls fotònics ha de ser millorat. Així doncs, l’objectiu d’aquest projecte és la millora de la resposta òptica dels cristalls fotònics fabricats, amb el propòsit final d’utilitzar-los en la detecció de gasos.
dc.language.isospa
dc.publisherUniversitat Politècnica de Catalunya
dc.rightsS'autoritza la difusió de l'obra mitjançant la llicència Creative Commons o similar 'Reconeixement-NoComercial- SenseObraDerivada'
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
dc.subjectÀrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
dc.subject.lcshInfrared spectroscopy
dc.subject.lcshOptical detectors
dc.subject.lcshLight -- Scattering
dc.subject.otherPhotonic Crystals
dc.subject.otherMacroporous Silicon
dc.subject.otherBeer-Lambert Law
dc.subject.otherCristales fotónicos
dc.subject.othersilicio macroporoso
dc.subject.otherley de Beer-Lambert
dc.subject.otherDispositius òptics integrats
dc.subject.otherTreball en equip
dc.subject.otherOnes -- Propagació
dc.subject.otherFotònica
dc.subject.otherSilici
dc.titleFabricación de dispositivos fotónicos integrados
dc.title.alternativeFabricació de dispositius fotònics integrats
dc.title.alternativeFabrication of integrated photonic devices
dc.typeBachelor thesis
dc.subject.lemacEspectroscòpia infraroja
dc.subject.lemacDetectors òptics
dc.subject.lemacLlum -- Dispersió
dc.identifier.slugETSETB-230.126915
dc.rights.accessOpen Access
dc.date.updated2017-10-20T05:51:00Z
dc.audience.educationlevelGrau
dc.audience.mediatorEscola Tècnica Superior d'Enginyeria de Telecomunicació de Barcelona
dc.audience.degreeGRAU EN ENGINYERIA DE SISTEMES ELECTRÒNICS (Pla 2009)


Fitxers d'aquest items

Thumbnail

Aquest ítem apareix a les col·leccions següents

Mostra el registre d'ítem simple