Ultrathin semiconductor superabsorbers from the visible to the near infrared
Visualitza/Obre
Paolo Moletti.pdf (1,389Mb) (Accés restringit)
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/107696
Tipus de documentProjecte Final de Màster Oficial
Data2017-07-08
Condicions d'accésAccés restringit per decisió de l'autor
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The design of ultrathin semiconducting materials that achieve broadband absorption is a longsought-after
goal of crucial importance for optoelectronic applications. To date, attempts to tackle this
problem consisted either on the use of strong -- but narrowband – or broader --but moderate -- light
trapping mechanisms. In this work, we present a strategy that achieves broadband optimal absorption in
arbitrarily thin semiconductor materials for all energies above their bandgap. This stems from the strong
interplay between Brewster modes, sustained by judiciously nanostructured thin semiconductors on metal
films, and photonic crystal modes. We demonstrate broadband near-unity absorption in Ge ultrathin films
that extend from the visible to the Ge bandgap in the near infrared and robust against angle of incidence
variation. Our strategy follows an easy and scalable fabrication route enabled by soft nanoimprinting
lithography, a technique that allows seamless integration in many optoelectronic fabrication procedures.
Descripció
En col·laboració amb la Universitat de Barcelona (UB), la Universitat Autònoma de Barcelona (UAB)i l’Institut de Ciències Fotòniques (ICFO)
Col·leccions
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
Paolo Moletti.pdf | 1,389Mb | Accés restringit |